本发明公开了一种氮化镓基有源器件的保护环，涉及新一代信息技术。所述的保护环包括设置在衬底上围成闭环的欧姆接触层，所述欧姆接触层上层叠第一金属层；所述的第一金属层通过纵向通孔连接上方的第二金属层，所述第二金属层设有微带线，所述微带线串接集总电容后与接地通孔电性连接。优点在于，通过合理调整集总电容的大小，可以使保护环的接地阻抗降到最低，将环内有源器件产生的高频噪声有效吸收，并且导出至参考地平面。仿真测试表明，添加保护环可将高频噪声隔离度提高10dB以上。第一金属层的设置可以降低欧姆接触层的寄生电阻。